- 11 januari 2018
Onzuiverheden in grafeen hinderen het transport van elektronenspins
Onzuiverheden in grafeen hinderen het transport van elektronenspins Nieuw model brengt revolutionaire transistor dichterbij RUG-promovendus Siddhartha Omar bestudeerde de ruis in het transport van elektronenspins in grafeen. Zijn conclusie is dat onzuiverheden in grafeen het transport hinderen. Die ontdekking kan helpen bij het verbeteren van spintransport en is nodig om een revolutionaire transistor te maken die werkt op basis van elektronenspins. ‘Het goede nieuws is dat we nu beter begrijpen waarom de spinstroom in grafeen sneller dan verwacht verdwijnt’, legt Omar uit. Het slechte nieuws is dat die onzuiverheden een onvermijdelijke eigenschap zijn van het soort grafeen dat Omar en zijn collega’s in het lab van spintronica-onderzoeker Bart van Wees doorgaans gebruiken. ‘Ons grafeen komt van natuurlijk grafiet dat altijd onzuiverheden bevat. We zullen dus een andere bron voor grafeen moeten zoeken.’ Een mogelijke nieuwe bron die zij nu onderzoeken is synthetisch ...
Gratis dit artikel lezen?
Registreer en word gratis online abonnee
Ben je al abonnee?
Meld je aan en krijg toegang tot de website
Door te registreren ontvangt u de newsletter. De newsletter kan u te allen tijde en zonder verdere formaliteiten opzeggen. Wij garanderen u dat uw e-mailadres en andere persoonlijke gegevens nooit aan derden worden doorgegeven en enkel gebruikt worden voor het versturen van de newsletter.
Door u in te schrijven, gaat u akkoord met De privacyvoorwaarden.